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射频易商城_低噪声放大器芯片_LNA的基本设计①

B2B资讯 2年前 (2022-12-15) 浏览 4

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导读:很多朋友不知道低噪声放大器的基本设计原理,如何选择低噪声放大器射频易商城RFeasy.cn为你解答Gain Block的基本设计原理。


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LNA的基本设计①

目前常见的低噪声放大器有以下几种: 低温制冷参量放大器、 常温恒温参量放大器、 微波场效应晶体管放大器和高电子迁移率晶体管放大器等。 参量放大器采用变容电抗元件(变容二极管) 对信号进行放大, 可以获得满意的低噪声性能, 进一步降低其工作的环境温度(例如环境温度达 20K) , 会大幅度改善其噪声性能。然而随着金属半导体场效应晶体管性能的改善与提高, 低噪声场效应放大器的噪声性能已接近于常温参量放大器的水平。 同时, 由于 FET 放大器具有性能稳定、 结构紧凑、 价格低廉等优点, 它已逐步取代了参量放大器。 目前, Ku 频段以下的低噪声放大器普遍采用低噪声 FET 放大器。 继低噪声 MESFET 之后, 高电子迁移率晶体管(High Electron Mobiliey Transistor) , 简称 HEMT 器件, 获得了迅速的发展。 它在低噪声、 高工作频率方面比 FET 更优越, 已广泛投入使用。


推荐产品一、丽芯微电1 to 11GHz, LXA1036 通用低噪声放大器Die 裸芯片

频率:1 ~11 GHz
增益:14dB
噪声系数:1.8dB
-1dB输出功率:18.5dBm
输入回波损耗:–10dB
输出回波损耗:–14dB
工作电流:45mA @+5V

推荐产品二、丽芯微电1 to 12GHz, LXA1013 通用低噪声放大器Die 裸芯片


频率:1 ~12 GHz
增益:18dB
噪声系数:1.1dB
-1dB输出功率:19.0dBm
输入回波损耗:-20dB
输出回波损耗:-19dB
工作电流:45mA @+5V

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