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射频易商城_芯片电容_高电容密度硅基MIS芯片电容④

B2B资讯 2年前 (2022-12-13) 浏览 3

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导读:很多朋友不知道芯片电容的基本参数及分类方法,如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答电容的基本参数及分类方法


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高电容密度硅基MIS芯片电容


在 室温 下对 电容 器进 行  、,测 试 ,如 图 6 所 示 。电容器 在击 穿前 其 漏 电 流 曲 线 相 当 平 滑 ,漏 电流 小于 5 nA 。 电 容器 约 在 70 V 时达 到 击 穿 ,漏 电流 快速 上升 ,显示 了 良好 的 击穿特性 ,从 侧 面也 印证 了 电容介质 层 良好 的耐压 特性 。分 别选 取 了 l O只 芯 片 尺 寸 和介 质 层 结 构 均 相 同 的3I)_M IS 电容与 平 面 M IS 电容 进行 室温 下 电容 值 的测 试 ,结果 见 图 7 。 平 面结 构 的 M IS 电容 的 电 容值约 为 20 pF ,而 3D 结 构 的 M IS 电 容 由 于 深 孔 结 构极 大地 提 升 了 有效 电极 面积 ,在 耐压 7O V 下 其 电容值 达到 了 l 000 pF .电 容 密 度 高 达 20 nF /mm。 ,是平 面结 构 M IS 电容 的 5O倍 。图 7  3D-M IS 电 容 与平 面 M IS 电容 的 电 容值 对 比 曲 线对 3D—M IS 电容 和 常 见 的 X 7R 陶 瓷 电 容进 行了 温度 系数 的测 试 ,结 果 如 图 8 所 示 。 X 7R 陶瓷 电容在 125℃ 下 其 电 容 变 化 率 约 为 14 9/6,而 3D—M IS电容在 一55~ 15O~C 范 围 内 电容 变化 率 不 超 过 1% ,体 现 了 良好 的温度 稳定 性 。与 国 外 IP DIA 公 司 的 W BS C 电容性 能 对 比结果 如表 1 所示 。 在 电容密 度 和温度 系 数均保 持 一致的情 况 下 ,击 穿 电 压相 比 W BSC 电 容 提 升 了 20 V 。

推荐产品一、丽芯微电100pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容


型号:C12-30-100V-101
容值/容差:100pF / ±20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:≥100G@100V
损耗@频率:≤4.0@1KHz
封装尺寸:0.762*0.762*0.178 mm
性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

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型号:C12-30-100V-101
容值/容差:100pF / ±20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:≥100G@100V
损耗@频率:≤4.0@1KHz
封装尺寸:0.762*0.762*0.178 mm
性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。


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