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集成芯片内电容的基本资料详解①–射频易商城

B2B资讯 2年前 (2022-12-12) 浏览 5

集成芯片内电容的基本资料详解①


集成芯片内电容 现代微处理器、 数字信号处理器和专用集成电路等技术的飞速发展, 已成为电磁干扰的主要来源。 如今的主要辐射源不再是由不合理的步线、 板结构、 阻抗失配或电源不稳定原因所产生。 器件的工作频率已从 20~50 MHz 发展到了 200~5000MHz, 甚至更高。 随着时钟频率的提升, 每个 VLSI 器件存在切换电流, 切 换电流的傅里叶频谱产生 RF能量, 使得数字器件必然会存在辐射。现代集成电路工艺的发展使得上百万的晶体管被集成到一块小硅片上, 生产工艺达到了 0. 18 μ m 线宽。 虽然硅片尺寸不断收缩, 但元件数量增加了, 使得产品的批量生产、 降低制造成本成为可能。 同时,线宽越小, 两个逻辑门元件之间的传输延时就越短。 但边沿速率加快, 辐射能力也就随之增强, 状态切换效应在集成芯片内部之间感应的作用下, 加大了能量损耗。硅片需要从电源分配网络中获得电流, 只有当电流达到一定数值时才能驱动传输线。 边沿速率越快,需要提供达到更率的直流电流。 切换开关在电源分配网络中的来回转换, 会在电源板和接地板之间引起差模电流的不平衡。 随着共模、 差模电流的失调, 在 EMI 测试中, 会发现共模电流在电缆组装连接处或 PCB 元件中产生辐射。

推荐产品一、丽芯微电10000pF, ≥1G@25V, 双面不留边 单层芯片电容


型号:C11-90-25V-103
容值/容差:10000pF / ±20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:≥1G@25V
损耗@频率:≤2.5@1MHz
封装尺寸:2.290*2.290*0.178 mm
性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。


推荐产品二、丽芯微电1000pF, ≥1G@50V, 双面不留边 单层芯片电容


型号:C11-30-50V-102
容值/容差:1000pF / ±20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:≥1G@50V
损耗@频率:≤2.5@1MHz
封装尺寸:0.762*0.762*0.178 mm
性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。


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