全国产化芯片找射频易商城! 2-6G,功率放大器芯片
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丽芯微电 lxsoc.com 基于于III-V族半导体工艺,设计研发性能优异的射频微波MMIC芯片,提供面向微波收发、信号选择、信号幅相控制、多功能芯片等相关应用和系统、分系统一体化解决方案。主要产品包括:限幅器、低噪声放大器、功率放大器、开关、混频器、检波器、移相器、衰减器、滤波器、射频多功能芯片等,性能优异,质量可靠、芯片制程渠道稳定可靠可控。要省心 找丽芯!
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丽芯微电 LXA2003 GaAs功率放大器 芯片
LXA2003 是一款功率放大器芯片(Die),工作频率2-6GHz,小信号增益23dB,输入/输出50Ω匹配良好。芯片通过背面通孔接地,采用+5V单电源供电,静态工作电流1200mA。芯片背面进行了金属化处理,适用于共晶焊接或导电胶粘接工艺。
电气性能参数 :
频率范围:2- 6 GHz
小信号增益:23 dB
增益平坦度:± 1 dB
饱和输出功率:35 dBm
输入回波损耗:10 dB
输出回波损耗:10 dB
噪声系数:- dB
静态电流:1200 mA
射频易商城 功率放大器 选型目录 :功率放大器
进入 80 年代, 由于分子速外延技术和有机金属化学沉积技术的发展, 超薄外延层的厚度及杂质浓度得以精确控制, 使异质结器件迅速发展, 由 ALGaAs/GaAs 或 InP/InGaAs 组成的异质结双极晶体管(HBT) 相继研制成功, 采用这些器件设计射频功率放大晶体管, 使射频放大器的工作频率达到毫米波频段; 到 90 年代, 激增了多种新型固态器件, 如高电子迁移管(HEMT) , 假同晶高电子迁移管(PHEMT) , 异质结场效应管(HFET) 和异质结双极管(HBT) , 同时使用了多种新材料如 Inp、 Sic 及 CaN 等。 这些器件能够对 100GHz 乃至更高频率的信号进行放大, 而且在多数情况下可以运用 MMIC 技术。
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